Mạch khuếch đại công suất dùng mosfet

Contents

Sơ thứ mạch khuếch đại hiệu suất 100W bằng MOSFET:Thiết kế mạch khuếch đại năng suất MOSFET:Các áp dụng của mạch khuếch đại công suất 100w MOSFET:

Mạch khuếch đại công suất 100W bằng MOSFET đã được thiết kế với để tạo thành công suất 100W nhằm truyền tải khoảng 8 Ohms. Mạch khuếch đại công suất có phong cách thiết kế ở trên đây có điểm mạnh là công dụng hơn cùng với ít vươn lên là dạng chéo cánh và méo hài tổng hơn.

Bạn đang xem: Mạch khuếch đại công suất dùng mosfet

nguyên tắc hoạt động:

Mạch này hoạt động theo nguyên lý khuếch đại công suất nhiều tầng có tiền khuếch đại, trình tinh chỉnh và điều khiển và khuếch đại hiệu suất sử dụng MOSFET. Giai đoạn tiền khuếch đại được thực hiện bằng cách sử dụng bộ khuếch đại vi sai, tầng trình điều khiển và tinh chỉnh là cỗ khuếch đại vi sai với mua gương bây giờ và khuếch đại công suất được thực hiện bằng cách sử dụng vận động MOSFET lớp AB. MOSFET có lợi thế hơn BJT là bao gồm mạch truyền động đơn giản, không nhiều bị mất ổn định nhiệt và bao gồm trở kháng nguồn vào cao. Một cỗ tiền khuếch đại bao gồm một mạch khuếch đại vi sai nhị tầng được sử dụng để tạo thành tín hiệu khuếch đại không tồn tại tạp âm. Tầng đầu tiên của cỗ tiền khuếch đại bao gồm bộ khuếch đại phối kết hợp bộ phát chế độ vi sai sử dụng bóng chào bán dẫn PNP. Giai đoạn lắp thêm hai bao gồm 1 bộ khuếch tán vi không nên với sở hữu hoạt động, để tăng cường độ lợi năng lượng điện áp. Mạch gương lúc này thực sự bảo vệ dòng điện đầu ra không đổi bất kỳ sự đổi khác của điện áp dấu hiệu đầu vào. Tín hiệu khuếch tán này tiếp nối được mang tới tầng khuếch đại kéo đẩy, tạo nên tín hiệu đầu ra hiệu suất cao.

Sơ đồ gia dụng mạch khuếch đại công suất 100W bởi MOSFET:

*

Các linh kiện của mạch:
R1, R4: 4k ohms R2: 100 ohms R3: 50k ohms R5: 1k ohms R6: 50k ohms R7: 10k ohms R8, R9: 100 ohms R10, R13: 470 ohms R11: 100 ohms R12: 3k ohms R14, R15: 0,33 ohms C1: 10uF C2, C3: 18pF C4: 100nF Q1, Q2: bóng phân phối dẫn BC556, PNP Q3, Q4: MJE340, bóng buôn bán dẫn NPN Q5, Q6: MJE350, bóng bán dẫn PNP Q7: n kênh E-MOSFET, IRF530 Q8: kênh p E-MOSFET, IRF9530 V1, V2: +/- 50 V. xây dựng mạch khuếch đại công suất MOSFET: 1 st Stage Differential Amplifier Thiết kế: Lựa chọn điện trở phát: Để gồm bộ khuếch tán vi sai hiệu quả, phần trăm loại bỏ cơ chế chung bởi R3 / R2 đưa ra bắt buộc cao hơn. Điều này đòi hỏi giá trị của R2 yêu cầu thấp hơn các so cùng với R3. Ở đây bọn chúng tôi chọn 1 chiết áp 100 ohm là R2 với điện trở 50k là R3. Lựa lựa chọn điện trở thu: Đối cùng với độ lợi chênh lệch khoảng 50 với điện trở bộ phát khoảng chừng 100 Ohms, cực hiếm của R1 với R4 được xem là khoảng 4k. Lựa chọn tụ năng lượng điện ghép nối: Ở đây chúng tôi lựa chọn 1 tụ năng lượng điện 10uF để ghép nối tín hiệu đầu vào AC với đầu vào của Q1. 2 nd Stage Differential Amplifier Thiết kế: Lựa chọn R11: Đối cùng với tổng dòng phát khoảng tầm 0,5A, giá trị của điện trở phân phát được lựa chọn là khoảng chừng 100 ohms. Lựa chọn R12: cực hiếm của phân tách áp R12 được khẳng định bởi năng lượng điện áp ngưỡng Cổng của MOSFET và mẫu tĩnh chạy qua bộ thu Q4, khoảng tầm 50mA. Điều này đem về cho R12 khoảng chừng 3k. Tương tự, giá trị của R7 được xem như là khoảng 10k. Lựa chọn tải: Ở đây cỗ khuếch đại vi không đúng được kết nối với tải hoạt động, là một mạch gương cái điện. Ở đây chúng tôi chọn bóng buôn bán dẫn PNP MJE350 với điện trở vạc 100 ôm từng bóng. Các điện trở phân phát được chọn để bớt điện áp khoảng tầm 100mV trên chúng để đảm bảo an toàn sự tương xứng tốt của những bóng phân phối dẫn. xây cất giai đoạn đầu ra của bộ khuếch đại công suất:

Ở đây chúng tôi chọn MOSFET IRF530 kênh N và MOSFET IRF9530 kênh p làm cỗ khuếch đại công suất. Đối với công suất 100w và cài đặt 8 ôm, điện áp đầu ra yêu mong là khoảng tầm 40V và dòng điện đầu ra output là khoảng tầm 5A. Điều này mang đến giá trị của năng lượng điện trở nguồn vào khoảng 0,33 ohms và loại điện bởi vì mỗi MOSFET vẽ vào lúc 1,6A (điện áp áp ra output / (pi nhân với năng lượng điện trở tải)).

hoạt động của mạch khuếch đại năng suất 100W MOSFET:

Các bóng cung cấp dẫn PNP chế tạo ra thành mạch khuếch tán vi sai trong các số đó một trong những bóng chào bán dẫn nhận bộc lộ AC đầu vào và bóng bán dẫn còn sót lại nhận bộc lộ đầu ra trải qua phản hồi. Tín hiệu AC được ghép với cội của Q1 trải qua tụ ghép và bộc lộ phản hồi được đưa đến gốc của Q2 thông qua R5 và R6. Đầu ra của cục khuếch đại được thiết lập bằng cách điều chỉnh phân tách áp. Đầu ra từ cỗ khuếch đại vi không nên giai đoạn thứ nhất được đưa tới đầu vào của bộ khuếch đại vi sai quy trình hai. Khi năng lượng điện áp đầu vào to hơn điện áp ý kiến (trong ngôi trường hợp của bộ khuếch đại vi sai thiết bị nhất), thì điện áp đầu vào những bóng bán dẫn quận 3 và q.4 của bộ khuếch đại vi sai trang bị hai mặt khác khác nhau. Các bóng buôn bán dẫn q5 và quận 6 tạo thành mạch gương hiện tại tại.

Xem thêm: Hoa Giả Treo Tường Giá Rẻ - Hoa Giả Treo Tường Cao Cấp

Điều này đạt được là vì khi dòng thu của q.3 tăng, dòng góp của q4 giảm để bảo trì dòng năng lượng điện không đổi chạy qua điểm chung của những cực phân phát của q3 và Q4.

Ngoài ra mạch gương hiện tại tạo thành một cái điện áp ra output bằng dòng điện góp của Q3. Chiết áp R12 đảm bảo áp dụng xu hướng DC ưa thích hợp cho mỗi MOSFET. Vì hai MOSFET bổ sung cho nhau, khi một điện áp dương được để vào cổng Q7, nó đã dẫn. Tương tự so với điện áp ngưỡng âm, q8 dẫn. Các điện trở cổng được thực hiện để ngăn đầu ra MOSFET dao động.

Đầu vào của mạch được hỗ trợ bởi một năng lượng điện áp đầu vào xoay chiều 1khz của 4Vp-p. Máy hiện nay sóng được kết nối làm sao để cho kênh A được liên kết với đầu vào và kênh B được liên kết với đầu ra. Công suất ở mua được quan sát bằng phương pháp kết nối watt kế với tải.

những ứng dụng của mạch khuếch đại công suất 100w MOSFET: Nó có thể được thực hiện để điều khiển và tinh chỉnh tải âm thanh như loa, như một bộ khuếch đại âm thanh. Nó hoàn toàn có thể được sử dụng để tinh chỉnh và điều khiển tải RF như ăng ten công suất cao. Nó rất có thể được sử dụng để triển khai hệ thống loa phân tán Mạch này có thể được sử dụng trong những thiết bị năng lượng điện tử như tivi, lắp thêm tính, máy nghe nhạc mp3, v.v. hạn chế của mạch này: MOSFET dễ bị phóng điện hơn. MOSFET lấy chiếc điện tương đối cao từ nguồn cung cấp cấp, rất có thể làm hỏng toàn mạch, trừ khi sử dụng cầu chì an toàn. Mạch này dễ bị dao động tần số cao. Mạch này là mạch định hướng và dành riêng cho mục đích giáo dục.